Полупроводники собственная и примесная проводимость полупроводников квазичастицы электроны проводимости и дырки электронный и дырочный полупроводники


Технология изготовления германиевого плоскостного диода описана выше. Если направление внешнего поля противоположно полю контактного слоя б , то перемещение электронов и дырок приведет к сужению контактного слоя и его сопротивление уменьшится — такое направление называется пропускным прямым.

Изобретение транзисторов в г.

Полупроводники собственная и примесная проводимость полупроводников квазичастицы электроны проводимости и дырки электронный и дырочный полупроводники

Фотопроводимость полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей.

В p -полупроводнике из-за. Проводимость собственных полупроводников, обусловленная квазичастицами — дырками, называется дырочной проводимостью или p -проводимостью positive.

Полупроводники собственная и примесная проводимость полупроводников квазичастицы электроны проводимости и дырки электронный и дырочный полупроводники

Между эмиттером и базой прикладывается постоянное смещающее напряжение в прямом направлении, а между базой и коллектором — постоянное смещающее напряжение в обратном направлении. Длительность процесса миграции электрона до момента рекомбинации его с ионом активатора определяется временем пребывания электронов в ловушках.

Электроны из n -полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать в p -полупроводник.

Например, пятивалентная примесь мышьяка As в. Если направление внешнего поля. Таким образом, в отличие от собственной проводимости, примесная проводимость обусловлена носителями одного знака.

Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом или p-n- переходом. Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок они являются основными носителями тока и сопровождается их "впрыскиванием" — инжекцией — в область базы.

В n -полупроводнике из-за ухода электронов вблизи границы остается нескомпенсированный положительный объемный заряд неподвижных ионизованных донорных атомов. Отсюда можно определить красную границу фотопроводимости — максимальную длину волны, при которой еще фотопроводимость возбуждается: Примеси, захватывающие электроны из валентной зоны, называются акцепторами , а энергетические уровни этих примесей — акцепторными уровнями.

Примеси, являющиеся источниками электронов называются донорами , а энергетические уровни этих примесей — донорными уровнями. Приборы, предназначенные для этих целей, получили название полупроводниковых триодов или транзисторов.

Односторонняя вентильная проводимость p-n- перехода используется в полупроводниковых диодах , содержащих один p-n- переход. На примере кристаллофосфоров рассмотрим механизмы возникновения фосфоресценции с точки зрения зонной теории твердых тел.

Обычно , поэтому усиление может достигать 10 Таким образом, в полупроводниках n - типа донорная примесь реализуется электронный механизм проводимости. Примесная проводимость полупроводников. Электроны из валентной зоны могут переходить на примесный уровень, локализуясь на атомах бора.

Граница соприкосновения двух полупроводников, один из которых имеет электронную, а другой — дырочную проводимость, называется электронно-дырочным переходом или p-n- переходом. При наложении на кристалл внешнего электрического поля они перемещаются против поля и создают электрический ток.

Таким образом, в полупроводниках n - типа донорная примесь реализуется электронный механизм проводимости.

В собственных полупроводниках наблюдается, таким образом, электронно-дырочный механизм проводимости. Во внешнем поле на это вакантное место может переместиться соседний валентный электрон, при этом дырка "переместится" на его место. Фотопроводимость полупроводников — увеличение электропроводности полупроводников под действием электромагнитного излучения — может быть связана со свойствами как основного вещества, так и содержащихся в нем примесей.

Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего электрического поля. Полупроводники называются дырочными или полупроводниками p -типа если проводимость в них обеспечивается дырками, вследствие введения примеси, валентность которой на единицу меньше валентностиосновных атомов.

Например, введение трехвалентной примеси бора B в матрицу четырехвалентного германия Ge приводит к появлению в запрещенной зоне примесного энергетического уровня A не занятого электронами.

Обычно , поэтому усиление может достигать 10 Уже в первых количественных исследованиях люминесценции было сформулировано правило Стокса:

Примесная фотопроводимость для полупроводников n -типа — чисто электронная , для полупроводников p -типа — чисто дырочная. Диффузия дырок происходит в обратном направлении. Величина усиления зависит от свойств p-n- переходов, нагрузочных сопротивлений и напряжения батареи.

В собственных полупроводниках наблюдается, таким образом, электронно-дырочный механизм проводимости. Таким образом, в полупроводниках n - типа донорная примесь реализуется электронный механизм проводимости. Электроны из n -полупроводника, где их концентрация выше, будут диффундировать в p -полупроводник.

Образовавшиеся в валентной зоне дырки становятся носителями тока.

Для примера рассмотрим триод типа p-n-p. Сопротивление запирающего слоя можно изменить с помощью внешнего электрического поля. Протекание тока в цепи эмиттера обусловлено в основном движением дырок они являются основными носителями тока и сопровождается их "впрыскиванием" — инжекцией — в область базы.

В собственных полупроводниках наблюдается, таким образом, электронно-дырочный механизм проводимости. Усиливаемое переменное напряжение подается на входное сопротивление , а усиленное — снимается с выходного сопротивления.

Собственная фотопроводимость.

В результате дырка, так же как и перешедший в зону проводимости электрон, будет двигаться по кристаллу, но в направлении противоположном движению электрона. Эти объемные заряды создают запирающий равновесный контактный слой , препятствующий дальнейшему переходу электронов и дырок. Твердые тела, представляющие собой эффективно люминесцирующие искусственно приготовленные кристаллы с чужеродными примесями, получили название кристаллофосфоров.

Различают собственные и примесные полупроводники. Примесная фотопроводимость. На примере кристаллофосфоров рассмотрим механизмы возникновения фосфоресценции с точки зрения зонной теории твердых тел. Электроны из валентной зоны могут переходить на примесный уровень, локализуясь на атомах бора.

Здесь дырки захватываются полем, действующим внутри перехода притягиваются к отрицательно заряженному коллектору , вследствие чего изменяется ток коллектора. Диффузия дырок происходит в обратном направлении. В полупроводниках p - типа акцепторная примесь реализуется дырочный механизм проводимости. Примесная проводимость полупроводников.

Примеси, являющиеся источниками электронов называются донорами , а энергетические уровни этих примесей — донорными уровнями.



Соски на бутылочку для кормления
Геи на природе любят друг друга и ебутся
Смотреть видео случяйный секс
Девочки лесбияночки в ванной порно
Смотреть бесплатно ролики трах русских мамочек во все щели
Читать далее...